閃存在存儲的歷史上占有獨一無二的位置。就在我們剛剛掌握如何完全利用這個東西的時候，人們就已經在說我們幾年后就會壓榨完閃存的潛力并且將必須尋找一個替代物。Crossbar的家伙們就把賭注押在電阻式隨機存取記憶體（RRAM）上。

和非易失性記憶體市場上的其他幾個競爭者一樣，Crossbar使用的是利用高電阻態和低電阻態來存儲0和1數據的組件，而不是使用DRAM（動態隨機存取記憶體）和閃存所利用的陷阱電荷模式。與NAND閃存相比，或和像PCM（相變記憶體）這樣的技術相比，Crossbar RRAM單元看起來非常簡單。

每個單元包含在一對電極之間的專門的非結晶態硅交換介質。當電流由一個方向經過單元的時候，來自頂部電極的銀離子遷移到交換介質中。當被遷移的銀在兩個電極之間產生一個納米大小的細絲后，單元的電阻就會大幅下降。要做刪除操作的話，電流方向就反過來，然后銀離子遷移回頂部電極，重新提高電阻。

電流設備的寫入電壓時3.5伏左右，相比之下，閃存要求的刪除電壓需要20伏以上。這意味著RRAM只消耗閃存的1/20的電量。

這個結構意味著RRAM實際上是比特可尋址的，就像DRAM一樣，同時Crossbar表示寫入速度比NAND閃存快20倍，耐用性大約是1萬次周期。這個耐用性是目前1X（15到19納米）閃存耐用性的10倍，而且閃存的耐用性還會隨著廠商實施1Y和1Z（10納米）制程技術而繼續下降。如果控制器廠商在RRAM上使用與在閃存上同樣的延長的ECC（錯誤檢測與糾正）機制，那么耐用性就不是個問題。只要RRAM的單元足夠支持一個細絲的創建，那么它的制程還可以繼續縮小，并且可以向3D方向發展，不會像閃存那樣在縮小的時候錯誤率大幅上升。

RRAM和閃存相比還有其他兩個重要優點，另外還有其他“主要競爭技術”的一些優點。首先，它可以在一個標準的CMOS芯片生產線上制造。這不僅擴大了能夠生產這種產品的芯片廠的范圍，同時還意味著廠商可以將RRAM放在和內置應用程序同樣的晶圓上。因此我們可以在消費者電子產品（比如智能手機和家用NAS（網絡附加存儲））上或在配置了控制器和RRAM的單芯片SSD（固態驅動器）上看到內置了RRAM的芯片上系統（SoC）設備。

RRAM在同樣單元制程上的芯片面積還小于閃存，大概只有后者的一半，因有可能帶來1TB容量的芯片。

Crossbar已經從一些大型VC（風險投資）公司那里獲得了2500萬美元的投資。該公司成立于2010年。Kilener Perkins資助了公司成立之前該技術的學術研究。

Crossbar要想讓RRAM率先取代閃存的話，它必須最好在CMOS廠里面找到一個人來認證它的技術并將它帶入市場?，F在的一些閃存廠商就在各種不同的未來技術之間左右互搏，也許其中一家廠商會選擇RRAM。到2050年，你大概可以跟年輕人說一下當年閃存SSD的各種故事，就像我說泡沫記憶體一樣。

雖然我們還不知道哪種技術將最終取代閃存，不過我們知道已經有很多廠商在開發替代技術，因此未來肯定會有代替閃存的技術。

作者：Howard Marks