存儲在線 2月25日北京消息：IBM日前宣布，正在開發應用自旋電子學技術的新型非揮發性內存。通過采用由約100個由磁性材料沿三維方向構成的內存單元組成的層疊結構，生產成本與硬盤差不多。IBM阿爾馬丁研究中心經理、SpinAps（IBM-斯坦福自旋電子學科學應用中心）IBM研究員斯圖亞特.帕金（Stuart S. P. Parkin），在2005年2月22日于東京召開的“第3屆納米技術綜合研討會（JAPAN NANO 2005）”上，以《Novel Magnetic Memories Using Spintronic Materials and Devices》為題，發表了這一技術的概要。 
  
    此次發表的內存名為“Magnetic race-track Memory（磁性賽道內存）”。因其采用了由相當于記憶“0”、“1”信息的位單元的磁性材料連成了像是賽車跑道一樣的形狀而得名。在IBM此次倡導的內存中，race-track（賽道）由100個左右的位單元沿垂直于硅底板的方向連接而成，而且來回曲折。也就是說，從水平方向的實際密度上來說，用于讀取和寫入的單個位元素的水平面積上，可以記錄約100位的信息。這樣，與IBM等多家公司目前正在研發的磁性內存“MRAM”相比，據說集成度可提高至100倍左右。而讀取和寫入時間約為50ns，基本上和現有的DRAM相同。 
  
    在連續形成位單元的race-track中，自旋方向相反的單元之間會產生磁疇壁（Magnetic Wall）。IBM此次發現了向race-track施加電流脈沖后，磁疇壁會發生移動的現象。據介紹應用這種現象，就能實現可隨機訪問的非揮發性內存。目前由于磁性賽道內存仍處于基礎研究階段，因此預計要等到5～10年后才能達到實用水平。