存儲在線 4月5日北京消息：日本產業技術綜合研究所（產綜研）與日本Anelva公司開發成功了一種用于硬盤磁頭的低電阻、高磁阻（MR）比的TMR元件。將在2005年4月4日～8日于名古屋召開的“Intermag 2005”國際磁技術會議上進行技術發表。 
  
    對于面記錄密度超過200Gbit/平方英寸的下一代硬盤，據說其磁頭需要采用電阻為0.1 Ωμm2～4 Ωμm2，MR比在室溫下最小要在20%以上、理想狀態應當超過100%的元件。產綜研與Anelva公司2004年9月曾發表過MRAM用TMR元件的量產技術。當時的電阻值約為500 Ωμm2，MR比在室溫下為230%。為了用于硬盤磁頭，此次將電阻降到了2Ωμm2左右。室溫下的MR比為140%。 
  
    通過分兩階段成膜，同時實現了低電阻與高MR比 
  
    對于降低電阻貢獻最大的是電極之間隧道阻擋層的結構改進。要想將電阻降至4Ωμm2以下，必須將隧道阻擋層厚度縮小到1nm以下。為MRAM開發的TMR元件中作為隧道阻擋層使用的氧化鎂（MgO）存在著膜厚減小后，因下部電極表面發生氧化而使MR比急劇下降的問題。 
  
    此次，在下部電極上首先形成了一層薄薄的鎂金屬膜，然后再在這層鎂金屬膜上形成了MgO層。這樣，即便隧道阻擋層很薄的區域，MR比的下降情況也得到了控制，由此同時實現了低電阻和高MR比。 
  
    由于成膜時能夠沿用磁頭生產中使用的現有濺鍍設備，因此不需新的設備投資。今后，將進一步改善電阻值和MR比，同時還將對磁頭所要求的各種特性進行測試。