閃存芯片廠商SanDisk在周二提交給美國證券交易委員會的一份文件中披露，它已經與東芝展開合作，聯合開發和生產可重復寫入的3D內存。
SanDisk在聲明中稱,兩家公司都將拿出與3D內存芯片開發和生產有關的技術并交叉授權。東芝將向SanDisk支付一定的授權費用。雙方最終可能合 作研發出一種新型的內存技術,取代目前的NAND閃存技術.SanDisk目前的主要產品就是NAND閃存芯片,這種內存芯片可用來儲存照片、歌曲和其他 數據,主要應用于iPod、iPhone、數碼相機和其他設備。
3D內存芯片的概念早就出現過。這種技術是廠商們在多年前為了降低內存芯片的成本和延長信息儲存的時間而開發的，據說這種技術可以將信息儲存100多年,遠遠大于NAND閃存芯片技術的信息儲存時間。
幾年之前，Matrix Semiconductor將內存陣列從橫向排列改為縱向排列,從而開發出一種3D內存芯片，據說可以降低成本。后來，它與中國臺灣的臺積電聯合生產這類芯片，但是從未獲得市場的重視。
SanDisk在2005年收購了Matrix.SanDisk此次攜手東芝聯合開發的3D 內存芯片與Matrix之前開發的3D內存芯片有一個很大的不同之處,那就是Matrix之前開發的3D內存芯片是不可重復寫入的.那些芯片一旦儲存了某些數據,就會永遠保留下來。SanDisk與東芝希望開發出可重復使用的3D內存芯片。
幾年之前，東芝開發過一款名為BiCS的可重復寫入的3D閃存芯片,其中的內存陣列也是縱向排列的。東芝已經研制出這類芯片的樣品,但是尚未正式投產。
SanDisk和東芝打算將雙方的知識產權和技術資源結合在一起，進一步開發3D內存芯片和生產技術。雙方公司沒有透露整個聯合開發計劃的成本以及相關的授權費用。
但是3D內存芯片應該不會很快出現在市場上。Forward Insights的研究總裁Gregory Wong認為，SanDisk和東芝可能要花3到4年的時間才能開發出第一款可以與NAND閃存芯片競爭的3D內存芯片產品。Wong表示,3D內存芯片面臨的一個嚴重問題是,它很難投入大批量生產。
可重復寫入的3D內存芯片由多層縱向排列的二極管陣列組成，目前只有采用四層堆棧式內存單元的芯片可以利用先進技術批量生產.Matrix在2003年展出了一款八級堆棧式內存單元組成的芯片，但是那塊芯片樣品是用250納米制程工藝生產出來的，而四級堆棧式內存單元組成的芯片使用的是80納米制程生產工藝。
Wong表示:“如何用先進技術生產八級堆棧式內存單元組成的芯片是它們面臨的另一個難題。”
由不可重復到可重復寫入的3D內存，其大大延長信息存儲的周長，對于未來存儲發展有重要意義。
