三星新20納米DRAM
半導體工藝生產當中，晶體管越小，單位體積內容納的晶體管越多，電路越小，生產成本越低。“我們相信用戶會顯著降低擁有成本”三星發言人說。
從2009年的50nm制程技術到2010年的30nm，再到2011年25nm，直到今天的20nm制程技術，在過去的五年中三星的DRAM晶體管技術發生了翻天覆地的變化。
雖然NAND閃存已經率先走向個位數納米工藝，（雖然在19nm水平呆了一段時間） ， 但是DRAM仍然保有相當的競爭力。
NAND閃存不同大小的模具
在DRAM當中，每個單元都有一個電容器，并且通過晶體管彼此連接，而NAND中每個單元只有一個晶體管。
三星表示能夠完善其DRAM的設計和制造技術，并提出了一個“雙成型技術和ALD。 ”在微電路，如DRAM或NAND閃存，高密集的納米結構是必需的。ALD是使薄膜具有精確均勻沉積的納米結構技術。雙成型技術，簡單地說，是一個加倍功能模塊數量的方法。
三星表示，雙重圖形技術是一個具有里程碑意義的技術。通過使用當前的光刻設備來生產20nm的DDR3，它已經找到了一個生產下一代10納米級DRAM的核心技術。
三星還成功做出超薄介電層的單元電容器，具有前所未有的均勻性，帶來更高的性能。
采用新的工藝，三星的4Gbit DDR3的20nm比25納米DDR3提高了30%的生產效率，比30納米級DDR3提高了超過兩倍的生產效率。
“新的20納米4GB DDR3比起之前的25納米制程技術的DDR3可以節省25％的電量 ”三星表示。
三星已經開始提供新的DDR3芯片給了一部分廠商，預計將在今年晚些時候推出的相關產品。
