在15納米制程技術將被應用到128千兆位（16GB）NAND閃存，每單元有兩個比特位，東芝表示。處理技術的關鍵在于制造芯片的方法和芯片的大小。
NAND閃存斷電之后仍然可以保存數據的存儲介質。由于通過使用高速接口新的芯片可將數據傳輸速率提升到533 Mbps，這比19納米制程技術快1.3倍。
SanDisk公司在另一項聲明中表示，該技術將作為1Z-nm工藝的一個節點，直接推動它號稱是世界上最小，最具成本效益的128千兆芯片的研發和生產。
“我們的15納米技術將廣泛的應用于各種解決方案，包括可移動存儲卡，也包括企業固態硬盤，”SanDisk發言人在一封電子郵件中說。
SanDisk于2011年宣布推出采用全球領先的19納米存儲制造工藝并，并于2011年下半年開始量產。每一代的存儲芯片采用了包括先進的工藝創新和單元設計解決方案在內的、時下最先進的閃存技術制造工藝。
