德國億恒科技日前宣布，已經開始量產利用0.11μm工藝規格生產的DRAM內存。利用該規格試生產的256Mbit DRAM內存已經通過包括英特爾在內的重量級客戶的認證。與億恒科技此前在量產中使用的0.14μm工藝相比，每枚晶圓的芯片產量約增加50%，從而把芯片的生產成本削減了約30%。
億恒科技此次使用0.11μm工藝量產的首批芯片是256Mbit DDR模式同步DRAM（SDRAM）內存。主要面向個人電腦和服務器等產品。使用0.11μm規格的生產工藝，可以生產內存容量達1Gbit的DRAM內存。通過使用0.11μm這一深次微米生產工藝，可以更容易地生產DDR2模式SDRAM和RAM顯存等高速內存。
關于此次量產的256Mbit DRAM內存，該公司強調指出“芯片面積堪稱業界最小”。之所以能夠減小芯片面積，一是使用了0.11μm這一深次微米加工工藝，二是在內存單元結構方面采用了該公司自主開發的溝槽技術?！芭c其他公司利用同樣的加工工藝生產的256Mbit DRAM內存相比，芯片面積約減小10%”（億恒科技）。溝槽型DRAM內存單元技術盡管東芝和IBM也都有，但這兩家公司目前已經不再生產通用DRAM內存。因此，目前使用溝槽型DRAM內存單元生產通用DRAM內存的只有億恒科技和在DRAM內存生產技術開發方面與該公司存在合作關系的臺灣南亞科技公司，以及億恒科技委托生產DRAM內存的企業。
億恒科技準備主要在300mm晶圓廠來量產使用0.11μm工藝的DRAM內存。由此將加速削減生產成本?！白罱覀?00mm晶圓廠的DRAM內存生產成本已經低于200mm晶圓”（億恒科技）。另外，該公司還表示：“我們是首家在0.11μm工藝DRAM內存量產過程中使用波長193nm蝕刻裝置的DRAM內存制造商。通過發揮在0.11μm工藝量產中積累的技術，使用同樣的蝕刻裝置就能將深次微米技術加快好幾代”。
