通用存儲無用武之地 分析師高呼“閃存萬歲”

    存儲在線 8月16日消息：“閃存萬歲！”這是日前召開的閃存峰會上傳出的信息。據Semiconductor Insights內存部門的技術經理Geoff MacGillivary，實際上，閃存（特別是NAND）至少還能發展三代，從而在可預見的將來都不會需要“通用存儲”(universal memory)技術。
  
    MacGillivary認為，NAND閃存技術至少能夠發展到20納米的“半間距(half-pitch)”節點。
  
    這樣的話，就會推遲對FeRAM、MRAM和OUM等“通用內存”的需求。分析師認為：“通用內存”是用于取代閃存的，但該技術并不會那么快兌現承諾?！彼傅氖亲罱w思卡爾關于MRAM出貨情況的聲明。他說，飛思卡爾的MRAM似乎不會與閃存針鋒相對，“我認為他們說的是嵌入式領域?！?BR>  
    FeRAM則是新一代非易失鐵電隨機存儲器，近日富士通也宣布其新型FeRAM材料使容量擴展至256M；OUM也被稱為“相變內存”。有一位分析師認為，OUM技術“10年內”不會實現商業化。Geoff MacGillivary則表示：“FeRAM將擁有一席之地，但似乎沒有達到人們的期望水平?！?BR>  
    之前，市場調研公司iSuppli曾預計，到2019年，兼具SRAM的速度、DRAM的密度與閃存的非易失性特點的“通用”存儲芯片市場可能達到763億美元。這種所謂的“通用”內存將占有80%的市場。當然，機構表示這只是一種“猜測”。而目前沒有一種單一的半導體存儲技術具有人們所渴望的全部特點，除了速度、密度和非易失性以外，人們還要求存儲技術具有低制造成本、低切換能量(low switching energy)和可微縮至納米級大小。
  
    至少，包括部分上述特點的一些產品處于不同的商業化階段，包括：相變內存(OUM)、磁阻RAM(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)和納米管RAM(NRAM)。不管如何，如果其中有哪種技術能夠勝出，則將坐擁一個巨大的市場。