英飛凌開發90nm硬盤導引通道 07年初量產SoC

    存儲在線 8月17日消息：德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）日前開發出了利用90nm工藝半導體技術制造的硬盤導引通道（Lead Channel）電路。目前已證實能夠以超過2.6Gbps的速度傳輸數據。超過2.6Gbps的數據傳輸速度在基于90nm技術的導引通道電路中為業界最快，比采用上一代制造技術的電路大約快30％。此次導引通道電路的開發得到了美國日立全球存儲技術公司（HGST）的協助。在HGST與英飛凌合作開發的引導通道電路中，此次的產品相當于第3代。 
  
    英飛凌將把此次發表的引導通道電路以嵌裝在SoC（系統級芯片）中的方式供應。該SoC內置有硬盤控制所需的全部電路。比如，包括支持數據傳輸速度4.25Gbps的光纖通道接口、數據傳輸速度為6Gbps的SAS（Serial Attached SCSI）接口，以及串行ATA接口的物理層（PHY）電路等。SoC預計將在07年初之前開始量產。