圖1 1個晶體管,1個MTJ存儲器單元的圖解
與現有的Flash、SRAM、DRAM相比，MRAM由于擁有存取速度高、存取次數多、耗電量低及體積小、可嵌入且不會隨著時間的推移而丟失數據等特性，與現有的其他存儲產品相比在便攜式電子產品的應用上更具優勢。
首先，由于MRAM是非易失性的，所以完全斷電后，它會保持數據。由于不需要背景刷新，MRAM能夠在非活動狀態下關閉。與DRAM相比，這可以大幅降低系統功耗。MRAM易于集成，能夠方便地嵌入到系統中去。與SRAM相比，由于MRAM的單元尺寸更小，所以MRAM將在成本競爭上處于優勢。MRAM還是非易失性的，而對于SRAM而言，只有比較復雜和昂貴的電池備份解決方案才能實現這一功能。與閃存相比，MRAM的寫入性能更佳，因為它的穿遂模式不要求高電壓，并且MRAM的寫入速度相當快。MRAM在寫入周期中消耗的電流更少，寫入每個數據位所需的功耗比閃存低幾個數量級。MRAM的耐久性是無限的，沒有明顯或預知的磨損機制，而典型閃存的耐久性僅為105個寫入周期。
MR0A16A與MR2A16AV
飛思卡爾最近推出的MR0A16A是一種1Mbit的用于商用溫度范圍的3.3V異步存儲器，可存儲64K字(16位)，讀寫周期為35 ns，它采用標準的SRAM引腳，從而可以用同樣的封裝將內存從1Mb擴展到4Mb。該器件采用符合RoHS 要求的400-mil TSOP II型封裝，適合各種商業應用，如聯網、安全、數據存儲、游戲和打印機。
與之同時推出的飛思卡爾MR2A16AV是一種4Mbit，擴展溫度范圍的3.3V異步存儲器，可存儲256K字(16位)，讀寫周期為35 ns。它采用標準的SRAM引腳，可以兼容SRAM 和其他 nvRAM產品。該器件采用符合RoHS要求的400-mil TSOP II型封裝中，為工業自動化、運輸、軍事和航空應用的嚴苛環境提供了一種強大的NVM解決方案。
多次獲獎的MR2A16A
2006年，全球首款商用MRAM產品在飛思卡爾投入生產，飛思卡爾將其命名為MR2A16。MR2A16基于翻轉寫入模式，并與采用銅互連技術的CMOS相集成。MRAM單元采用單個晶體管和磁性隧道結構，其中結合了創新的體系結構，以保證磁數據的可靠寫入。
MR2A16A可以實現非常靈活的系統設計而不會導致總線競爭。MR2A16A帶有單獨的字節支持控制(byte-enable control)，各字節均可獨立寫入和讀取。MR2A16的運行電壓為3.3V，具有對稱的高速讀寫功能，讀寫周期為35ns。MR2A16能夠用8位或16位的數據總線進行存取，帶有低電壓保護電路的自動數據保護功能可防止電源中斷時寫入數據，所有輸入和輸出都兼容TTL，采用完全靜態的操作，數據至少可保存10年。MR2A16A經濟而又可靠，適用于多種商業應用，包括網絡、安全、數據存儲、游戲和打印機等。在需要永久存儲和快速檢索關鍵數據的應用中，MR2A16A是理想的存儲器解決方案。
MR2A16A曾獲得Electronic Products雜志頒發的2006年度最佳產品獎、電子工程專輯的2007年度最佳存儲產品獎、LSI of the Year的年度杰出產品獎和In-Stat/Microprocessor Report 的2007年度創新產品獎。此外，飛思卡爾的MRAM設備還曾入圍EDN的"2006年度創新獎"和電子工程專輯的"2006年度ACE獎"。
