英特爾已經修復了其新的34nm NAND芯片的BIOS密碼問題，并且還發布了3-bit/cell 34nm工藝的芯片。
受到該缺陷影響的包括購買了英特爾X25-M和X18-M 34nm工藝NAND芯片的用戶。如果他們設定并修改的BIOS密碼，芯片數據就會不可用。目前已經提供可下載的固件修復程序，其解決了這一令人尷尬的問題。
X25-M和X18-M均為2-bit/cell的多級單元（MLC）閃存固態硬盤。英特爾與美光的合資企業，英特爾美光Flash技術公司，目前已經在34nm工藝水平上開發出3-bit的MLC芯片。這就增加了芯片的存儲容量。3-bit的X25-M如果可以實現生產的話，其存儲容量可以達到2-bit X25-M的兩倍。3-bit也會降低單個閃存的成本。
然而，這一開發會降低可靠性，而且英特爾/美光 3-bit MLC的可靠性相對其它閃存驅動器來說還不夠好。美光正在測試3-bit MLC芯片的使用。
SanDisk和東芝公司2月份發布了4-bit的MLC NAND技術月，稱其使用43nm進程。對于最高密度閃存可靠性和速度的開發正在走向一種廠商之間的競賽。與此同時，移動互聯網設備，智能電話，netbook，筆記本電腦存儲，企業級存儲和服務器緩存應用對可靠性的需求越來越高。
Objective Analysis分析師Jim Handy認為，SanDisk的最新的電話會議顯示，SanDisk和東芝公司將有一個32納米的3-bit芯片，預計將在今年年底發布。他說，美光科技和英特爾："年底會有計劃將過渡到下一個制程，一個他們所謂的"2xnm"（20-29nm ）。他們相信，他們的3-bit技術能夠在這個過程中被用到。"
Handy還表示："在2010年的年初，3-bit 3xnm的制造商將會更加地有利可圖。"
