海力士公司日前宣布，其使用40nm工藝制造的2Gb容量DDR3 DRAM顆粒和相關內存條產品已經獲得了Intel認證。
此次或認證的產品包括2Gb DDR3 SDRAM顆粒，4GB DDR3 SODIMM筆記本內存條和2GB DDR3 UDIMM普通臺式機內存，運行頻率1333MHz，電壓1.5V。
這一系列的40nm工藝產品可實現最高1867MHz 16bit I/O的傳輸速度，帶寬3.7GB/s。相比上代50nm產品，新的40nm工藝可將生產效率提高60%，同時能耗降低40%。
目前，海力士的40nm工藝2Gb DDR3顆粒已經開始量產，公司預計使用該顆粒的RDIMM服務器內存條在今年年內也能夠獲得Intel認證。
