三星電子宣布，已經成功使用30nm級別工藝(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式閃存芯片。OneNAND 是一種高可靠性嵌入式存儲技術，在一顆芯片內集成了NAND內核、NOR接口、SRAM緩沖，融合了NAND閃存的高存儲容量和 NOR閃存的快速讀取，主要面向消費電子設備和下一代智能手機。三星電子從2004年起就不斷開發新型OneNAND閃存產品。
三星的新款8Gb OneNAND芯片基于SLC NAND閃存技術，讀取速度最高可達 70MB/s，是傳統NAND閃存(17MB/s)的四倍還多，并且采用低電壓設計，因而功耗更 低，非常適合隨著觸摸屏和其他高分辨率智能手機應用而帶來的大容量數據存儲需求。
此外，三星還將生產工藝改進到了30mm級別，生產效率比此前的40nm級別(40-49nm)提高了40％。
三星現已開始出貨3xnm 8Gb OneNAND芯片的樣品，并計劃本月底開始批量生產。
