東芝公司今天宣布，位于日本三重縣四日市的東芝NAND閃存晶圓廠新廠房Fab 5已經正式開工建設，預計2011年春竣工。東芝同時還宣布，與SandiDisk公司達成初步協議，將成立一個新的合資企業，專門運作Fab 5工廠。
由于新興市場如智能手機、固態硬盤對NAND閃存的需求與日俱增，東芝決定新建廠房擴大NAND閃存制造產能。Fab 5將獨立于東芝四日工廠的其他部分，根據投資規模和市場趨勢分兩期進行建設。第二期工程建成后，Fab 5的規模將和旁邊的Fab 4相當，占地面積3.8萬平方米。東芝和SanDisk將根據市場趨勢靈活決定后續生產設備投資，并依照投資比例分配產能。
Fab 5將直接使用最先進的20nm級工藝制造NAND閃存。其建筑包含地震吸能結構，半導體制造設備使用變頻泵，全面采用LED照明以及各種節能設備，全廠二氧化碳排放量將比Fab 4降低12%。
除了新建Fab 5外，東芝和SanDisk公司還將加速提升現有廠房無塵室空間的利用率。預計在Fab 5投產時，Fab 4即可實現全產能運行。
