數據存儲產業服務平臺

三星四季度量產36nm工藝2Gb DDR3芯片

據報道,三星計劃在今年四季度開始量產基于36nm制程工藝的2Gb DDR3芯片,在工藝升級上繼續遙遙領先日美競爭對手。隨著量產時間表的設定,三星明年使用該工藝的DRAM出貨量比重將超過50%。

和三星目前的主要46nm處理工藝相比,36nm意味著30%的成本降低,三星2Gb DDR3的平均生產成本將降低到1美元。此前二季度的DRAM內存芯片生產成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲,三星新工藝芯片的量產相信是個利好消息。

相比之下其競爭對手的工藝升級之路就顯得相對緩慢。爾必達目前正在從主流的63nm向45nm邁進,而美光則從50nm向42nm升級。

業界消息稱,三星新工藝芯片的量產將會使得他們的芯片價格再次降低,這對于競爭對手可謂是一個壞消息。由于臺灣DRAM制造商的技術支持都來自爾必達和美光,DRAM市場的價格戰恐再次上演。

根據集邦科技發布的報告,三季度DRAM期貨價格環比下降13%。隨著1Gb DDR3價格或降至1.50美元,四季度DRAM的期貨價格恐還將環比下降20%。

未經允許不得轉載:存儲在線-存儲專業媒體 » 三星四季度量產36nm工藝2Gb DDR3芯片
精品国产午夜肉伦伦影院,双性老师灌满浓jing上课h,天天做天天爱夜夜爽,攵女乱h边做边走