日本爾必達公司今天宣布，已經成功開發出一款采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，核心面積和功耗都創下業界新紀錄。
該內存顆粒使用30nm工藝制造，是目前全球尺寸最小的2Gb容量DDR3顆粒，每塊晶圓的成品產出量可比40nm工藝產品提升45%，大大提升成本競爭力。
該顆粒最高支持DDR3-1866頻率，也可以在1.35V低電壓下實現1600MHz頻率。同時，其工作電流亦為業內最低，相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達將從今年12月開始量產這款30nm工藝2Gb DDR3顆粒，未來還會將30nm工藝引入Mobile RAM等產品線，并加入TSV硅晶穿孔技術，為手機數碼相機等產品提供單芯片存儲方案。
