在接受EEtimes網站記者訪談時，Menon表示IBM“非?？春肞CM技術在未來3-5年內的發展勢頭，而且這種技術很可能會在服務器領域取代現有的閃存技術。目前服務器應用領域出于節能的需要，正在逐步引入采用閃存芯片制作的存儲設備。Menon并表示，PCM的下一步，IBM開發的賽道式磁存儲技術則將取而代之。

不過，他表示PCM要走向實用還有許多問題需要解決。Menon在訪談中并沒有介紹IBM是如何解決PCM存儲體的耐熱性問題，這個問題在IBM的工程師在今年的VLSI技術年會上發表的一篇PCM存儲單元用銅離子導電體的文章中有所提及，這種導電體面向的是堆疊式的結構，因此其受熱環境更為惡劣。

PCM技術的原理是通過使用電加熱技術改變存儲材料的晶相，由此改變其電阻值來存儲數據。由于相變材料狀態的穩定性高，結構尺寸易于微縮，因此非常適合用作非易失性存儲器，甚至大有替代DRAM存儲器的態勢。不過由于PCM技術難于實現商業化生產，而且即便采用65/90nm制程制造的基于這種技術的產品真的能投放市場，其存儲密度相比常規閃存是否具備足夠的優勢也很成問題，目前常規閃存的制程已經進化到了22nm制程。

IBM is presenting three papers on PCM at the 2010 International Electron Devices Meeting.

除了PCM技術本身之外，Menon還表示IBM目前正在積極在新材料研發，3D封裝技術以及存儲單元結構技術方面進行研發，”我們確信PCM將在尺寸微縮方面比較閃存芯片具備一定的優勢，因為閃存技術發展到22nm制程以下后會遇到很多問題。“

PCM的耐久性方面，Menon則認為，從讀寫周期數的角度看，PCM的耐久性將能介于閃存和內存芯片之間。他說：”配合各種耐久性增強技術后，DRAM的耐久性可在10^12次左右，閃存則在10^4-10^5次左右。而我們認為PCM芯片的耐久性則可高于10^5次，而且這個數字還會增加，不過會無法突破10^12次，但其耐久性應足可滿足內存的需求，如果最后一條無法達成，那么至少我們還可以把PCM用作外存設備。PCM的性能將可逼近DRAM，當然它無法達到DRAM的性能等級，讀寫速度會比DRAM慢3-10倍左右，不過我們會開發其它的技術來彌補和縮小速度方面的缺陷。“

盡管Menon承認PCM的開發會遇到很多需要克服的問題，但他認為自己手下的工程師完全有能力解決這些問題：”(PCM)還有一些基本的問題需要解決,另外制造PCM芯片所用的材料也需要做進一步研究，不同的材料配比會導致性能的細微差異。因此我認為大概在2014年左右消費級電子市場上會首先出現PCM芯片的身影。“

當被問及IBM是否會自行設計并自行生產制造自己的PCM產品元件，或者會尋求代工商為其代工時，Menon表示：“這算業務范疇的問題了。我的看法是我們很可能會尋求芯片代工商，也就是說我們會完成技術的技術研發，然后將有關的技術授權給代工商進行生產。”