此外通過15%的操作電流節省、20%的待機電流節省，爾必達的25nm工藝還能有效降低內存功耗，為節能環保做出貢獻。
爾必達將于今年七月份開始批量投產這種25nm 2Gb DDR3 SDRAM內存顆粒，并計劃在今年年底量產4Gb大容量型號，晶圓產能可大幅增加44%,此外新工藝還會用于移動型的Mobile RAM.
