該公司的廣島工廠將配備30納米和25納米制程DRAM生產設備。這樣可以從一塊晶片中生產更多的記憶體芯片，從而降低記憶體成本。

該工廠還將安裝新的TSV生產線。在TSV記憶體中，堆疊的記憶體芯片之間有垂直連接，可以在記憶體單元層之間實現通信。

TSV技術也得到了美光的采用。美光記憶體系統開發副總裁Dean Klein在漢堡舉行的ISC（國際超級計算大會）上描述了該公司的復合/管記憶體：“3D DRAM通過數千個硅通孔垂直連接進行互聯。”

他認為這項技術可以提供高性能和數百GB/秒的帶寬。

Klein表示：“高性能計算配置中的每個CPU都可以有一定量的復合記憶體，擁有非常低的延遲性和很高的帶寬。”

他還提到了20倍的DDR3帶寬。

Klein表示他預測未來HPC（高性能計算）將有一個記憶體層級架構，從Hybrid Memory（復合記憶體）開始，然后到DDR4 DRAM，然后到相變記憶體（PCM）層，然后是NAND，最后是機械式磁盤。

Klein表示每個DIMM（雙列直插內存模塊）中的每個DRAM部分都被激活并接受來自一部分DRAM的32比特數據。如果使用的是Hybrid Memory Cube，你只需要激活承載你所需要的數據的那部分DRAM，這樣，你不僅節約了電力，“速度也快許多”。

第三，爾必達還將把資金投入研發部門以開發新記憶體技術和下一代制程。

這些技術將取代或增強現有DRAM，可能是后NAND技術，比如FE-RAM（鐵電存儲器），Memristor（憶阻器）或PCM（相變記憶體）。雖然這些技術都沒有到生產階段，不過PCM和憶阻器技術已經取得了可喜的進展。

第四，爾必達將償付一些長期債務。

現在的問題是爾必達正在丟失傳統DRAM的市場份額，同時有沒有足夠的利潤來支持必要的轉型來與海力士、美光、三星等競爭對手競爭。這些公司的動作要比爾必達快，他們正在進入多層、多技術和后DRAM時代。

爾必達的計劃是：在更小的制程上制造記憶體，減少DRAM成本；采用TSV技術來增加記憶體芯片容量，提高能效和速度；開發下一代記憶體技術，以便適時取代普通DRAM。

這三個計劃也有可能無法帶來如期的效果，到那時候爾必達就必須通過兼并收購來自救了。