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三星開始測試DDR4內存 預計明年量產

三星開始試驗用于服務器的16GB DDR4寄存器內存(RDIMM)。

三星是目前最大的DRAM提供商,如今已經開始對采用30nm工藝、用于服務器的16GB DDR4 RDIMM內存樣品進行試驗。三星表示,自上個月起,其8GB和16GB DDR4內存模塊就已經提供給CPU及內存控制器廠商進行測試。

三星公布了一些DDR4 RDIMM內存的細節,例如工作電壓為1.2V,相比DDR3內存模塊要低很多(普通DDR3內存電壓為1.5V,低電壓LDIMM內存為1.35V)。三星還表示明年將會推出3.2Gb/s速度的DDR4模塊。

三星電子內存營銷執行副總裁Wanhoon Hong表示:“通過新的高密度的DDR4內存模塊,三星和CPU及服務器廠商在開發新一代綠色IT系統方面能夠更加緊密的合作。”Wanhoon Hong介紹說,三星將積極進入包括企業級服務器在內的高端市場,保持其綠色內存產品的競爭力,并致力于20nm級別DDR4 DRAM的工作。

JEDEC(電子器件工程聯合委員會)預計DDR4規格能夠在8月份確定,三星表示預計明年開始量產20nm DDR4內存模塊,容量可達32GB。

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