IBM阿爾馬登微電子研究中心經理表示在悉尼大會上討論的“自旋電子學”將幫助推動IBM對“Racetrack Memory”的研究。我們此前已經討論過這個Racetrack存儲原件。這種記憶體“通過納米管來發送電磁‘條帶’，通過讓電子自旋來進行寫入，通過一個模擬裝置來將數據讀取到硬盤驅動器的讀取頭。”
這位經理就是Stuart Parkin博士。本周，他參加了一個名為WUN-SPIN 2012的大會。這個大會是悉尼大學WUN(國際大學聯盟)自旋電子學聯合會主辦的。Parkin是IBM的學士，他的工作為存儲媒介密度的提高做出了許多貢獻。他在2008年展示了Racetrack Memory。該技術依賴于一個名為“電子自旋”的現象。通過這個現象，科學家可以通過控制電子的角動量來組裝出一個擁有持續性質的材料。如果自旋可以被讀取，那么它也可以被解讀為代表二進制數據。
不過，設計和制造那種可以在更復雜方式下使用自旋的材料，就好像賽道記憶體所要求的那種方式，并不是一件容易的事。
顯微學和微分析學澳大利亞中心總監Simon Ringer也是WUN-SPIN 2012的組織者之一。他告訴The Reg說：“一個大問題就是如何設計一個可以讓你輸入和讀取自旋的系統。”單單靠電流是不行的，磁場也會帶來它們自己的問題。使用不同的材料作為中間層或“摻加”填料來改善自旋載體的性能也是一種方式，不過Ringer教授認為僅僅用一種方式還不能帶來很好的自旋控制。
為了控制自旋而進行的各種努力現在被統一稱為“自旋電子學”了。Ringer教授表示它是“一個多學科領域，涉及材料科學和工程，為了最終在實際設備上實現該技術，我們還有許多基礎材料科學工作要做。”
“我們需要理論學家，生產學家和顯微科學家共同努力，讓這門學科獲得技術推動力。我們已經看到一些地方的合作和新想法開始踴躍出現。”
Ringer自己的領域，顯微科學，可以讓科學家在原子層級上觀察發生的事情，從而更好的理解自旋電子的行為。
自旋電子的行為其實挺有意思的，因為Ringer所提到的新物理學科涉及特定自旋下電子的行為?？茖W家們發現按照一定規律自旋的電子最終會朝一個方向運動——要么左邊要么右邊——Parkin博士認為這種行為是“一個讓人驚奇的發現”。
如果科學家們找到了如何利用擁有這種行為的自旋電子的方式，那么會發生什么?這我們還不知道，不過Parkin告訴The Reg說他感覺他在大會上聽到的一些想法將推動賽道記憶體的發展。這種記憶體的推出時間還不明朗，不過Parkin聽起來很急迫：他預測DRAM(動態隨機存取記憶體)只剩下5年的發展時間，然后DRAM就會遇到技術上的極限障礙，無法再繼續提高。
