近日，索尼和鎂光公司宣布其研發小組開發出高速、大容量ReRAM（可變電阻式存儲器），該類型存儲器填補了DRAM與NAND之間的性能鴻溝，有望提高整體系統性能。
新產品的容量為16Gbit，超過了目前的DRAM，而且具備超過NAND閃存的高速性。數據傳輸速度在讀取時為1GB/秒，寫入時為200MB/秒，訪問等待時間在讀取時為2μs，寫入時為10μs。採用1GB/秒的DDR接口以及與DRAM接近的8存儲體儲存器架構，通過并聯運行實現了高速化。
據悉，電阻變化元件採用CuTe膜和絕緣膜的雙層構造，通過銅離子的移動在元件內部形成導電橋來改變電阻值。儲存器單元由一個選擇晶體管和電阻變化元件構成。採用27nm工藝、3層銅布線技術制造，單元面積為4374nm2，芯片面積為168mm2。
