SLC就是在NAND閃存的每個存儲單元里存儲1bit的數據，存儲的數據代表”0”還是”1”是由基于Vth電壓閾值來判定，對于 NAND閃存的寫入(編程)，就是對其充電，使得它的電壓超過上圖的電壓判定點A，存儲單元就表示0-已編程，如果沒有充電或者電壓閾值低于那個A點，就表示1-已擦除。

MLC則是每個存儲單元里存儲2bit的數據，存儲的數據是”00”,”01”,”10”,”11”也是基于電壓閾值的判定，當電壓沒到判定點B時，就代表”11”，當電壓在B和C之間，則代表“10”，電壓在C和D之間，則表示”01”，而電壓達到D以上，則表示”00”。由上面的圖片可以看到，MLC相比SLC電壓之間的閾值被分成了4份，這樣肯定會直接影響性能和穩定性，相對來說，主要受影響的有以下四點：

1.相鄰的存儲單元間會互相干擾，造成電壓不穩定而出現bit錯誤，MLC由于閾值相比SLC更接近，所以出錯幾率會更大。

2.MLC讀寫性能降低，寫入更達到50%的差距以上，因為需要更精確的充電處理。SLC只有”0”和”1”，，而MLC會有“00”,“01“,”10”,”11” 4個狀態，在充電后還要去判斷處于哪個狀態，速度自然就慢了。

3.如上所說，因為有額外的讀寫壓力，所以功耗明顯增大。

4.同樣因為有額外的讀寫壓力，造成閃存的寫入耐久度和數據保存期都受到影響。

前面說過SLC和MLC的區別，那eSLC和eMLC又是怎么一回事呢?

在NAND Flash工廠制造處理過程中，廠商把晶元上最好的那部分Flash晶片挑選出來并用企業級的標準來檢測晶片的數據完整性和耐久度。檢測完成后，這些晶片被取下來改變內部參數并進行之后的比標準MLC更苛刻的測試。當這些晶片通過測試后，就被定義為eMLC級別組，余下的就成為MLC級別組了。同理eSLC就是從SLC晶元上挑出來的優質晶片經過內參調整和企業級標準篩選的產物。

相對普通MLC來說，eMLC的不同之處主要體現在下面4個方面：

1.標稱P/E數，34nm鎂光的eMLC是30,000次，而MLC則是5000次。

2.eMLC擦寫操作和編程操作所需要的時間相比MLC更長。(通過內參調整達到增加P/E的目的)

3.當使用完廠商保證的P/E數后，eMLC的數據保存期一般在3個月，而MLC的數據保存期在1年。

4.相對在的企業級應用下，使用eMLC的穩定性比MLC要高得多，也就是出錯的概率更小。