結合晶圓尺寸經過估算,東芝/閃迪15nm 128Gb(16GB)閃存顆粒的面積為139平方毫米,相比于美光16nm小了足足20%,對比美光20nm更是小了超過31%。
存儲密度也就很容易得出了:0.92Gb每平方毫米。這已經十分逼近三星堆疊了24層的同容量顆粒,甚至超過了第一代的32曾堆疊(86Gb),也創下了平面閃存的最新記錄,比此前美光16nm提高了足足24%。
東芝和閃迪要到2016年初才會進入3D閃存時代,原因就不言自明了:15nm工藝都可以如此有效地縮小面積、提高密度,干嗎要急著3D?
目前官方還沒有公布詳細的架構圖,所以不知道東芝/閃迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。
東芝/閃存15nm閃存正在開始加緊量產,相關固態硬盤產品會在第四季度推出。