TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR Flash閃存進行了肩并肩對比，讀寫數據的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
不過目前測試芯片的容量才8Mb(1MB)，實在微不足道。
TDK已經讓手下的Headway Technologies(位于美國加州)試產了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒有量產能力，商用的時候必須另外尋找代工伙伴。
至于MRAM何時能夠投入實用，目前還沒有確切時間表，但是TDK估計說可能需要長達10年。
Intel、IBM、三星、海力士、東芝也都在不同程度地研發STT-MRAM，而美國亞利桑那州的Everspin Technologies甚至已經小批量出貨，Buffalo固態硬盤的緩存就用到了它。
