在意識到NAND的價值后，三星非常想吃了這塊蛋糕，這里說的是“3位多級單元(MLC)”。以前，該術語用的并不多，直到三星展示了植入MLC特性的TLC NAND的性能和壽命之后，這些術語便經常營銷中誤用。

撇開市場表現，我們仍有理由認為垂直的TLC比傳統平面要有優勢。三星的第一款V-NAND固態硬盤850 Pro比傳統固態盤有更高的性能和可靠性，如果三星能把這些特性拓展到TLC硬盤，那將誕生市場上最具吸引力的產品。

三星的PR在不經意間透露在市場宣傳中利用工藝節點問題誤導消費者。三星曾宣稱3D NAND兩倍于10納米級NAND的晶圓量，一位編輯表示“10納米級的意思是其工藝制程在10到20納米之間。”獨立第三方評測機構Anandtech表示三星的V-NDND與16納米的美光NAND相比僅有微弱的優勢。

越小越好（圖片源自AnandTech）

如果V-NAND真有兩倍于原有10納米級NAND的晶圓量，即便是他的特性尺寸都不如美光的好又或者說它的晶圓收益率也糟透了。就像你能猜到的那樣，它還會采用替代的方法讓產量看上去好點。

從市場的角度來分析，三星的3D NAND已經在市場上證明了自己潛在價值，公司的TLC也做的非常好，即便是840Evo產品家族有點問題，我們還是有理由相信三星有能力結合兩個產品的特點推出更好的產品，甚至有可能使SSD的價格突破到50美分每GB。