此外，如果只基于現有的4Gb DRAM，最多只能生產出容量為64GB的內存模塊。然而如果結合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星電子全球首先投入量產的硅通孔（Through Silicon Via, TSV）封裝技術，那么則可以生產出最大容量為128GB的內存模塊，從而進一步推動高密度DRAM市場的發展。

三星電子存儲芯片市場營銷部負責人白智淏副總裁表示：“此次推出的20納米8Gb DDR4 DRAM大大滿足了推動下一代企業級服務器市場發展所需的三大要素,即高性能，高密度和高節能。今后，三星將繼續提升20納米DRAM產品的比重，以高性能和高密度的產品滿足全球高端服務器用戶日益增長的需求。”

三星電子在今年3月成功量產全球首款20納米PC用DRAM之后，至今仍是業內唯一一個有能力量產20納米DRAM的企業。此后，三星電子繼而在今年9月推出20納米移動DRAM，加之今天推出的20納米服務器用DRAM，可以說三星已經構建了足以引領“20納米DRAM新紀元”的完整的產品線。

今后，通過把生產效率高的4Gb產品用于PC，封裝小且芯片堆疊層數少的6Gb產品用于移動設備，大容量的8Gb產品用于服務器，三星電子將會根據用途對各種容量的DRAM產品進行優化組合，以差別化的產品戰略引領DRAM市場的發展。