美光16納米NAND晶片

記者：那么3D NAND芯片相對于目前的MLC 2D平面NAND芯片，在存儲容量、IOPS、連續傳輸帶寬以及耐用性方面存在哪些變化？

Kevin Kilbuck：美光的3D NAND芯片在存儲容量方面將達到現有閃存解決方案的兩倍。目前我們已經利用自己的3D NAND組件構建起256GB閃存產品。雖然IOPS在不同系統當中擁有較大程度的浮動，但傳輸帶寬卻在芯片層面獲得了顯著提升。其新特性足以在大多數系 統當中有效實現延遲降低。

我們還預計3D NAND芯片能夠在耐用性方面有所改進，這是因為我們事實上放寬了對NAND存儲單元的尺寸限制（因為現在我們所需要的存儲容量主要由多個存儲層共同提供，而不再像2D NAND那樣單純由存儲單元尺寸決定）。

記者：那么3D NAND芯片的存儲容量會增長到怎樣的程度，在存儲單元的幾何尺寸方面又將作出怎樣的選擇？

Kevin Kilbuck：我們的第一款3D NAND產品在容量方面為MLC 256GB、TLC 384GB。我們計劃將存儲單元的幾何尺寸放寬一些，從而為將來的進一步空間提升保留一些余地。目前我們還沒有公布存儲單元的尺寸，但我可以透露的是、其 尺寸將在20納米以上。

正如我前面在建筑這個比喻當中所言，3D堆棧當中的層數才是3D NAND芯片中的核心所在、相比之下存儲單元尺寸則顯得不那么重要了。

記者：那么在美光公司看來，3D NAND主要面向哪類市場呢？

Kevin Kilbuck：3D NAND芯片應該適合目前市場上存在的所有閃存方案范疇，但由于進一步提高了閃存性價比與存儲容量、3D NAND的出現同時也將拓展出新的市場空間。新市場的具體類型仍然有待觀察，但我們已經與客戶就相關可能性進行過探討、他們對此都表示相當興奮。

記者：3D NAND芯片將以怎樣的形式出現在用戶面前（FlashDIMM、PCIe卡、M2還是SSD等等）？

Kevin Kilbuck：3D NAND芯片與我們目前的16納米平面NAND芯片相比，不會在體積方面出現增長，因此其將適用于我們當下正在出貨的各類閃存存儲設備。

另外需要著重強調的一點在于，盡管前面用塔式結構來比喻3D NAND裸片的堆疊方式，但事實上其堆疊機制被控制在極小空間內且對精確度要求很高; 3D NAND裸片的高度并不會顯著大于2D NAND裸片。而且與2D NAND一樣，我們會將多個3D裸片疊放在NAND當中，從而讓單一芯片封閉擁有更為可觀的存儲容量、并最終以產品方式呈現在用戶面前。

記者：那么TLC 3D NAND芯片是否會出現？預計其存儲單元尺寸、性能水平以及耐用性又將達到怎樣的水平？

Kevin Kilbuck：會出現的。其性能水平與耐用性也都將高于目前的TLC平面設計方案。

記者：那么SLC 3D NAND芯片又是否會出現？預計其存儲單元尺寸、性能水平以及耐用性將達到怎樣的水平？

Kevin Kilbuck：美光并不打算在3D NAND芯片中采用SLC。我們認為目前所銷售的20納米SLC存儲產品在可以預見的未來已經足以滿足市場對于SLC閃存芯片的實際需求。

記者：那么當3D NAND產品投放市場之后，目前的2D NAND產品將如何逐步過渡為3D NAND產品？

Kevin Kilbuck：美光公司將在2015年春季公布MLC 3D NAND產品樣品，而TLC產品也將在此之后很快與廣大用戶見面。

由2D NAND向3D NAND過渡的過程首先會出現在那些對存儲容量要求較高的應用程序領域，其具體載體很可能是SSD設備。我們預計隨著時間的推移，目前的高容量閃存市場都將逐步完成向3D NAND芯片的過渡。

特別提示： 我們同時也與SanDisk公司的閃存合作伙伴東芝取得了聯系，并就其3D NAND芯片提出了類似的問題。遺憾的是該公司一位發言人委婉地拒絕了我們的交流請求，他表示“很抱歉，東芝無法提供關于特定問題的相關信息。但我們會繼 續保持聯系，并在擁有更多可資分享的信息時及時予以公開。”

我們當然也期待著東芝公司所給出的答案。