Toshiba的三維BiCS NAND閃存結構在一個2bit/cell 128Gb(16GB)的設備中堆疊了48個字線層,通過使用更薄的制程技術令每臺設備的三維結構增加大量的記憶層，而不是縮減每個單元的尺寸。

因此，除要求個別的小單元外,3D NAND允許更大面積的位密度(因而不需要高端制程)。3D NAND 閃存的總收益在業內眾所周知：低成本(一旦產量達到商業可行性)，高性能和可靠度。

Toshiba和SanDisk研發的 BiCS 3D NAND架構的獨特性，如U形NAND字符串，使其具有最大的陣列效率。后者的意思是目前的BiCS 3D NAND存儲芯片將會比其他競爭對手生產的3D NAND閃存設備更小更便宜。

新的BiCS 3D NAND閃存提高了寫入和擦除次數，比二維NAND閃存寫入速度更快。

由此可想而知，基于3D NAND固態硬盤的應用程序會比超薄制程基于二維NAND 的固態硬盤更加可靠。

“我們很榮幸地宣布，與Toshiba合作研發，擁有48層架構的第二代3D NAND研發成功(Toshiba/SanDisk研發的第一代3D NAND主要用于內部測試和開發作業)，” SanDisk 存儲技術執行副總裁Dr. Siva Sivaram表示，“我們利用第一代3D NAND作為學習工具研發而成的商用第二代3D NAND,相信會為我們的客戶帶來強有力的的存儲方案。”

2016上半年，日本Mie轄區四日市拆除后新建的Fab2一旦落成，Toshiba和SanDisk就會開始生產 BiCS 3D NAND存儲器。新型存儲器將用于可拆卸產品到企業固態硬盤的廣泛方案中。

Samsung生產高容量3D V-NAND存儲器到現在已有1年半之久。該公司提供各種基于3D V-NAND的產品。近期Apple開始在新的蘋果電腦和筆記本中使用Samsung基于3D V-NAND的固態硬盤。