人們正在逐漸適應閃存并將其用于客戶移動設備到企業部署的大多數領域。而目前業內面臨的最大難題就是平面NAND達到了它的實用極限。美光和英特爾旨在用他們的垂直堆疊3D NAND改變現狀。

英特爾和美光選用了一個業內使用過一段時間的浮柵單元用于他們的3D NAND，這也是浮柵單元第一次用于3D NAND。浮柵單元的性能跟蹤記錄使得特爾和美光篤定這項技術會實現更高品質，更高性能和可靠性。新型3D NAND技術允許閃存單元垂直堆疊32層。單個MLC容量達到256Gb，單個TLC達到384Gb并且仍能安裝在一個標準程序包里。由于容量增大，M.2 SSDs總存儲容量達到3.5TB甚至更大。標準2.5寸的SSDs總容量達到10TB以上，同時也會令閃存吸引更多在特定密度下安裝存儲的數據中心。另外，該產品有望于2015年下半年投入生產。

主要特點：

大容量-是現有3D技術容量的三倍，相當于48GB NAND每晶，能把一個TB的四分之三安裝在單個指尖大小的程序包里。

降低每GB成本-研發第一代3D NAND也是為了比平面NAND達到更好的成本效率。

速度快-高讀寫帶寬，I/O速度和隨機讀取性能。

節能-新的休眠模式通過切斷不活躍NAND晶粒的電源(甚至是在同一個數據包里其他晶粒都活躍的時候)，大大降低了待機狀態下的耗電量。

智能-相對于上一代產品，創新性功能改進了延遲讀取并且提高了耐用性，同時簡化了系統集成。