在2014年8月推出第二代32層3bit MLC V-NAND閃存之后，三星電子在本月隨即發布第三代 48層3bit MLC V-NAND閃充閃存芯片。

在新一代V-NAND閃存中，每個單元都采用相同的3D Charge Trap Flash(簡稱CTF)結構設計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術，通過18億個通道孔在陣列上實現電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數據，換句話說，就是一個不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數據。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當存儲相同容量的數據時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30%。在量產階段，相對于之前推出的32層3D V-NAND閃存而言，新型芯片可將生產效率提升約40%， 在繼續使用現有設備的同時，大大提升了SSD市場的成本競爭力。

未來進軍企業級市場

在2015年接下來的時間內，三星電子計劃繼續生產第三代 V-NAND閃存，以加速推廣TB級SSD的市場普及率。目前三星電子正在計劃面向消費者推出2TB級甚至更高容量、更高密度的SSD，還將計劃采用業界領先的 PCIe(NVMe)接口和SAS接口的產品來提升面向企業級用戶和數據中心存儲市場的高密度SSD的市場銷量。