和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認為會使服務器和存儲行業擺脫一年或三年的換代周期，而這個改變如今隨著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。
Everspin 稱該產品為轉矩MRAM(ST-MRAM)，它是第三代產品——2012年第一代芯片出現，比NAND閃存速度快500倍，但只能容納64 Mbit的 數據。MRAM類似DDR3或DDDR4 RAM，但MRAM為非易失性——通電時數據不會消失——同時還比閃存快。硬件行業的所有相關人士都在致力于某些類似MRAM的產品上，因為真正快速地永久存儲實在有太多好的用途。
Everspin是目前唯一一家出售此類產品的公司，但直到現在也是在64MB chunk(組塊)以內。一個DIMM插槽僅用作64Mb容量存儲自然不能讓MRAM成為主流。Everspin稱它還希望在年底出1GB MRAM產品。
這個DDR接口又快又漂亮——DDR4 RAM可達19,000 MB/s——而Everspin宣稱其寫入速度比NAND閃存快10,000倍。
當然，在這個芯片成為主流選項之前還有一系列問題，從服務器制造商需要適應MRAM以便機器操作系統能夠讓MRAM工作開始，然后要了解雖然位于DIMM接口內，它也是一個永久存儲層。IBM開始亮出了一款針對Power8系統的驅動器，Everspin也表示正在和其它服務器制造商交流中。距離盒子的到來不遠了。
密度是另一個要擔心的問題——服務器只能有很多DIMM，并且這類應用程序類似快速存儲和許多內存。Everspin表示它一直致力于6GB MRAM，該產品有助于密度，對將要接受的挑戰表現地自信滿滿。
然后是成本。Everspin沒有透露這款256Mb產品的明確價位，只說對比為了強化服務器而保持RAM通電的成本那是極具競爭性的。
除此之外，該公司還認為從長遠來看它還會有成本彌補，因為它的MRAM被制造成300納米的晶圓，是一個具有成本效益的進程。
