本周二，在巴黎舉辦的IEEE國際內存研討會上，IBM研究院宣布其科學家在相變內存(PCM)技術上取得了重大突破。2011年這也是第一次，科學家能夠采用PCM在每單元真正實現存儲3字節。這項內存突破可能提供快速簡單地存儲，尤其有利于移動和物聯網。

近幾年，關于類似Xpoint的新一代技術進展極大，相變內存實在算不上一項新技術(這還得追溯到1960年)，但近幾年才實現對它的有效使用。

PCM有兩個狀態——晶體和非晶體。這些狀態利用低(非晶體)和高(晶體)電流寫入數據并且降低電壓進行數據讀回，在斷電情況下不會丟失數據，類似一張可重寫的藍光盤。過去，科學家在PCM內存技術方面已經實現了單字節存儲?，F在IBM研究院科學家成功在64k單元陣列中存儲了3個字節(條件為高溫狀態并擦寫100萬次之后)。此外為了獲得這種多字節存儲技術，IBM科學家還開發了兩項促進技術——drift-immune cell-state metrics和drift-容錯編碼及檢測方案，所謂“drift”具有逐步降低內存存儲權值的能力。

PCM技術的應用領域

IBM稱該技術應用領域從取代現代臺式機內的RAM到利用一種PCM和閃存的混合形式大幅提升移動設備的速度。它在一篇新聞稿中寫道：“比如，一款手機的操作系統存儲在PCM中可實現手機幾秒內啟動。而在企業領域，整個數據庫都可以存儲在PCM中，如此對時限要求極為嚴格的在線應用程序即可實現極快速地查詢處理，特別是金融交易類應用?！?/p>

另外，基于云的人工智能應用程序也可以從PCM中獲益。IBM寫道：“機器學習算法采用了大型數據集，其通過降低迭代之間的數據延遲開銷也會看到一個速度的提升?！毕鄬τ诳沙惺?000次數據寫入的閃存，PCM可進行高達1000萬次數據寫入，使之成為一項面向數據中心，具有潛在行業性變革的技術。

PCM技術開啟競爭模式

內存和閃存存儲間的最佳位置，兼具成本與速度優勢。英特爾和美光也在利用3D Xpoint攻略這個最佳位置，3D Xpoint 采用介質的堆疊層。其它新興技術包括RRAM(電阻式RAM)，MRAM(磁阻式RAM)和憶阻器。

Objective Analysis 公司分析師Jim Handy稱類似3D Xpoint，3字節的PCM可能通過芯片制造商的支持大獲成功。英特爾正在致力于將3D Xpoint應用于x86上，與此同時，IBM也在利用Power架構給PCM鋪路。這種認同方式對大規模生產極為關鍵，有效推進了新技術成本的降低。

最后，IBM并未預測3字節PCM何時會進入大眾市場體系，部分原因是該公司并不生產內存還需要尋找一個合作伙伴。(過去IBM和海力士在PCM上有合作)但IBM稱PCM大規模投入生產可能還需要2到3年時間。