近期英特爾透露了其多年來在非易失性數據存儲領域內可以說是最重大技術——3D XPoint存儲器(Optane)的發布時間線。由以下這張臺灣省科技新聞網站benchlife.info貼出的幻燈片顯示該產品線將在今年末推出，并可能搭配Kaby Lake處理器平臺上線。

Intel Optane 3D XPoint時間線

根據上圖可知，Optane可能會首次出現在一些SSD生產線中，從2016年末的Mansion Beach產品開始，緊接著Brighton Beach和Stony Beach。

Mansion Beach SSD產品線將采用NVMe PCIe Gen 3 x4配置(有4個I/O通道)，允許其直接放置在系統主板上。

而Stony Beach與Mansion Beach幾乎是前后腳，Stony Beach將作為一款PCIe/NVMe SSD首次發布，并作為一項服務器加速技術被推向市場,也許如當年 OCZ Synapse Cache SSD或類似產品，旨在輔助一般硬盤，改善其讀寫響應時間。

2017年第一季度某時將推出Brighten Beach并以一款采用PCIe 3.0 x2配置的較低端產品呈現。

Brighten Beach之后，Carson Beach會推出一款支持PCIe 3.0 x4的M.2卡，同時，球柵陣列(BGA)將直接聯接到計算機主板，并充當一個第二代英特爾的“系統加速器”。

2017年，除了第二代PCIe和SATA 3D NAND閃存產品之外，英特爾還計劃了一次Mansion Beach升級。

大概一年前，英特爾和美光公司聯合推出了Optane。

3D Xpoint對比（各項技術的延遲檢測——左向右依次為毫秒，微秒，納秒）

盡管英特爾和美光將3D XPoint RAM視為“1989年以來，首款新型存儲器”，但提及浮柵NAND，大多數專家認為它是一個基于128Gbit芯片的電阻式RAM(ReRAM)存儲器。

兩家公司稱其對比NAND閃存速度快1000倍，具有1000倍的耐久性即可承受約100萬次擦寫周期，這代表該款新型存儲器可永久使用。

從根本上說，Optane技術是一項海量存儲級內存技術，雖然速度比DRAM慢，但投入生產卻比DRAM要便宜，還比NAND速度快。另外其具有非易失性，斷電情況下數據可保持完整，這點跟NAND閃存一樣。

相比之下，現有NAND閃存只能承受3000到10000次擦寫周期。采用耗損平衡和糾錯軟件，周期數雖然可以得到改善，但跟100000次擦寫周期仍相去甚遠。

所以兩家公司就3D XPoint宣稱，它是25年來的首款新型存儲器類型。按照研究分析師的說法，英特爾和美光絕沒有夸大其詞。3D XPoint是居于DRAM和NAND閃存之間的甜蜜點，某些情況下，在一些企業數據中心能夠取代這兩者，然后最終，在消費者臺式機和筆記本方面取代這兩者。

在之前的聲明里，英特爾計劃也相當明確，今年發售Optane產品。從benchlife.info獲得的文件中再次說明它們將在2016年末面市。

3D XPoint技術是一款由英特爾和美光聯合推出的新型非易失性存儲器，依靠大量材料的電阻變化獲取非易失性。它利用大量材料切換電阻狀態，而不是依賴可變絲狀體實現生產。存儲單元和選擇器內的架構和獨特材料相結合使3D XPoint可實現更高地密度，更強地性能和更大耐久性。

英特爾在深圳舉辦的開發者論壇上表示，Optane已經達到NAND 閃存的10倍密度并將讓SSD實現在M.2卡里存儲超過1TB數據，厚度僅為1.5毫米。

“這對筆記本產品非常好，”英特爾高級副總裁Rob Cooke在該會議中如是說。