今日，西部數據宣布其新型512GB，64層3D NAND芯片在日本四日市制造廠已經開始試生產，該芯片硅晶圓采用了TLC閃存設計(可實現每單元3位的存儲量)。并且公司計劃在2017年下半年開始大批量生產。是不是有些似曾相識，我們倒回2016年7月，西數宣稱開始對采用其BiCS3技術的64層3D NAND進行試生產。那么時至2017年，兩者之間有何不同?

2016年的芯片容量為256GB，今年發布的芯片容量是它的兩倍。西數早期的BiCS2 3D NAND芯片，表面積為105平方毫米，48層，256GB容量。2016年從48層到64層不斷加高，照說容量也應該有所提升，奇怪的是沒有，可能西數的初代64層芯片采用了比48層芯片更大的光刻尺寸。

今年的這款3D NAND閃存芯片是基于垂直堆疊或西數與東芝合作稱為BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技術。

西數bics3 3D NAND閃存

這款最新的3D NAND芯片已經用于構建口香糖大小，具有3.3TB以上存儲容量的SSD和容量超過10TB的標準2.5寸SSD。

三星是第一家在2013年就宣布大批量生產3D閃存芯片的企業，它們的技術稱為V-NAND，最初是32層NAND閃存堆儲容量相當于東芝的48層3D NAND芯片，存儲容量為128GB或16GB。

英特爾和美光也都在生產3D NAND。美光一直致力于64層3D NAND，號稱一個256GB容量的芯片表面積僅為59平方毫米，是最小的64層3D NAND芯片，其晶圓體密度約為每平方毫米4.3GB容量。

小結

投資公司Stifel Nicolaus老板，Aaron Rakers羅列了以下多家供應商并對其閃存晶圓體密度進行了以下對比：

乍看起來，美光目前處于劣勢，除非它的芯片尺寸小到你能在閃存驅動器上獲得足夠的容量，相當于競爭對手的512GB容量的芯片。這似乎不大可能。

此外，海力士正在開發72層堆疊閃存，轉回去年7月份，三星宣稱將在西數和東芝之前生產64層3D NAND芯片。三星的48層芯片具有256GB的容量，雖然Rakers的圖中并未顯示這一點，但我們預計64層芯片容量可躍升至512GB。