我們先來看一下兩款新產品：

這張圖看8521的性能表現

iNAND 8521更強調性能表現。用的是非常領先的UFS 2.1控制器技術，還有最新的64層3D NAND技術，采用的是第五代SmartSLC技術，先把數據寫入到SLC里，隨后在寫到3D NAND的TLC里面，性能和使用壽命都有很大提升。

在SmartSLC的幫助下，iNAND 8521順序寫速度能達到500MB，隨機IOPS寫速度能達到45K，性能非常強悍，所以主要適用于旗艦手機機型，容量從32GB起，到256GB。

這張圖看7550的耐用性

iNAND 7550主打經久耐用。采用的是相對更成熟的e.MMC技術，也相對低端一些，用的也是64層3D NAND，容量為32GB-256GB之間，采用的是第四代的SmartSLC技術，SmartSLC除了能優化性能和壽命以外，還能在以外掉電的情況下保護數據完整性。

性能方面，順序寫的速度能達到260MB每秒，隨機讀和寫IOPS性能與上代產品相比分別提升了135%和275%，e.MMC在適用于中端和中高端手機機型。

3D NAND 64層存儲介質

這次選用的仍舊是BiCS4，64層的3D NAND，關于未來BiCS5發展的時間點還沒確認，此前，業內西數與東芝聯合發布過關于96層3D NAND的消息，三星也有類似的消息傳出，不過，目前64層的3D NAND仍舊是主流。

3D NAND都是TLC技術，業內目前也沒有QLC實用產品，QLC技術難度更高，。今年的美國的閃存峰會（FMS2017）上有存儲系統廠商談論QLC的內容，一個時強調ECC的重要性，一個強調可以用人工智能來輔助做QLC的存儲系統，QLC離實際落地應該還有很長一段路要走。

發布會現場西數（閃迪）EIS部門產品市場管理總監包繼紅介紹了導致今年以來閃存缺貨漲價的四個原因：

第一、很多設備從HDD變成了SSD，造成需求量上漲；

筆者也能感受到，且不說企業級市場也在向SSD轉型，更常見的消費機PC上，很多人都會選擇一塊SSD作為系統盤，新PC標配SSD，舊的PC也在換SSD，這波換的趨勢是一個原因。

第二、另外一個因素就是從2D轉3D的技術轉移，3D NAND技術門檻很高，所以會影響產能；

第三、由于部分行業巨頭周期性產品發布會囤積一些貨品，當這些貨品沒投向市場或者少量投向市場就會造成影響；

第四、投資的遲疑，在去年的時候，廠商對以后投資內存、NAND還是其他產生了遲疑；

筆者也認為，究竟以哪種技術生產多少產品在困擾著廠商，所以各家都采取保守的態勢。

從筆者分析來看，自從3D NAND出現以來，3D技術獲得了飛速發展，業內從32層到48層，到到64層，到96層，更有甚者還提出了128層，可能各存儲大廠都在觀望彼此，技術成熟與否，能否商業化，到底會不會推出這樣的產品，生產這樣的產品該生產多少。

技術進化的時間很快，除了可能導致產品線混亂，貿然大批量生產還可能競爭劣勢?；蛟S剛好大家更高級的產品技術還不成熟，都在等技術成熟后大批投入市場。

包繼紅表示，當以上所有的事情都同時發生了，才導致了18個月的缺貨與漲價。

這點似乎也在預示著這場偶然事件過去之后就會迎來正常的市場狀態了。