嵌入式存儲器的電荷存儲中面臨可擴展性挑戰，三星克服技術障礙，并將制程節點發展到28nm，不僅用更低的成本提供更優的功率和速度優勢，還具有非易失性、隨機存取和強耐久性的特征，是可期的持續性發展的產品，未來將有望取代DRAM和NOR Flash技術。

由于MRAM在寫入數據之前不需要擦除，因此寫入速度大約比EFlash快1000倍。此外，EMRAM使用的電壓比EFlash低，并且在斷電模式下不消耗電力，從而提高了功率效率。另外，由于EMRAM模塊可以與現有的邏輯技術（如Bulk、Fin和FD-SOI晶體管）輕松集成，可以節省成本。

三星代工市場副總裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的復雜挑戰后，我們推出了嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術，并通過EMRAM與現有成熟的邏輯技術相結合，三星將繼續擴大新興的非易失存儲器(eNVM)工藝產品組合，以提供獨特的競爭優勢和卓越的可生產性，以滿足客戶和市場需求?！?/p>

【轉自閃存市場】