據韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，能夠應用于通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等，提升數據保存的能力。
報道指出，三星MRAM方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以功耗也很優秀。
另外，這一方案結構簡單，可以通過在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數來實現，減輕了三星進行新設計的負擔，并降低了生產成本。
隨著三星大規模量產首款商用MRAM產品，業界開始猜測，具有低成本、更優速度和功率優勢的MRAM是否會在未來取代DRAM與NAND，進而改變半導體產業格局？
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)認為，MRAM在電信特性上與現有的DRAM與NAND相似，但互有優劣。使用MRAM，需要改變平臺的架構，因此未來MRAM可能會取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態的存儲器解決方案，但不會完全取代DRAM/NAND。
此外，DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM與DRAM/NAND配合，可以取得省電以及性能的優勢，另一方面，新的存儲器加入，也能夠避免原先存儲器解決方案若有大缺貨發生時的價格不穩定狀況。（文章轉自全球半導體觀察）
