三星，SK海力士等跨越百層堆棧里程碑

在近期的第14屆美國閃存峰會（FMS）上，NAND供應商和合作伙伴之間爭鋒不斷，三星和SK海力士首當其沖，稱將在今年推出100層以上的3D芯片，與此同時，東芝首次推出低延遲NAND以期殺進DRAM市場。

以上官宣作為今年美國閃存峰會上少有的亮點之一，吸引了眾多人群的目光。與此同時，SK海力士和西部數據都在演講中提及將軟件作為下一個擴展存儲的重要杠桿，大會展場上充斥著第四代PCIe SSD和各種存儲加速器。

在存儲市場，NAND的價格急劇下滑基本接近低谷。在過去的兩年里，存儲需求激增和價格的上漲，部分歸因于超大規模企業的高支出，觸發了芯片制造商的巨額資本投資，這也導致了目前的供過于求。

Objective Analysis分析師Jim Handy表示，三星等企業始終認為市場復蘇即將到來，但卻不知道當前情況何時結束。與此同時，供應商正在發售96層3D NAND芯片，并轉向128層產品。Handy稱，所有的芯片制造商都認為自己可以做500層的芯片。

Forward Insights分析師Gregory Wong則更看好內存市場。他看到分銷商的NAND價格已經上漲。并稱，市場正在迎來拐點?，因此今年的第三季度可能會觸底。

三星官宣其正在生產100層以上，基于256Gbit TLC NAND的 250GB SSD，采用雙層堆棧設計，分別支持450和45微秒以下的寫入和讀取延遲，比前一代速度提升10％，同時功耗降低15％。

這種芯片采用了6.7億個硅通孔，相比前一代的9.3億個大大減少，旨在采用更少的工藝制造更小的芯片。三星預計，大約一年內自身將采用三層堆棧設計，發售超過300層的512Gbit NAND芯片，并承諾今年年底之前，在SSD內配置一些512 Gbit的芯片。

為了保持步調一致，SK海力士稱將在年底前推出Tbit級 3D NAND芯片。芯片采用128層堆棧并在閃存單元下封裝外圍電路。8個裸片（die）能讓一個11.5*13mm的TByte模塊厚度僅為1毫米。

東芝加入低延遲NAND競爭

東芝推出每單元存儲單字節的XL-Flash，將支持5微秒以下的讀取延遲，支持8個裸片（單個容量128 Gbit）封裝，9月份芯片采樣，明年將批量發售。XL-Flash采用16-plane設計，成本比DRAM和英特爾Optane內存低，當然速度也都不如兩者快。其在東芝存儲重新整合后（2019年10月正式更名Kioxia中文名鎧俠）進入市場。和英特爾Optane和三星Z-NAND相同，東芝XL-Flash旨在填補DRAM和NAND之間的空白區域。芯片最初將以SSD形式發售，但東芝存儲希望其最終可擴展為DRAM總線上的存儲設備。

基于PMC（現Microchip）的控制器芯片和技術方案，中國閃存初創公司Memblaze作為其中國地區的代表，是東芝14家XL-Flash合作伙伴之一，將率先推出配置這些芯片的SSD。Memblaze表示，其PBlaze5 X26系列SSD將具有20微秒以下的混合讀寫延遲，并在介質上劃分命名空間來提升MySQL性能。

也有分析師認為，低延遲內存將成為一個相對較小的利基市場。Handy表示，東芝XL-Flash和三星Z-NAND將存儲分成了更小的陣列塊，擁有更多的傳感放大器（sense amps）來支持更多的并行性，從而加快響應速度。不過，XL-Flash擁有比NAND更大的裸片，因此價格更昂貴。

迄今為止，英特爾已售出近千萬個Optane SSD，主要用于超大規模企業。Handy稱短期來看，英特爾可能會在2023年發售價值35億美元的Optane產品。在他撰寫的一份報告中曾預測，2029年，所有新興存儲器市場規?？赡苓_到200億美元。而Optane預計將達到160億美元，其余部分由MRAM和RRAM組成。其中，MRAM旨在取代28nm節點及以下的NOR閃存。該報告不包含NAND變體XL-Flash或Z-NAND的預測。

另外，東芝宣布推出XFM Express，14*18mm NAND封裝，實際上是M.2和BGA封裝尺寸之間的可插拔BGA。未來其將支持2到4個PCIe Gen3/4通道，用于筆記本，游戲機和汽車。此外，一位東芝的SSD高管還提及，服務器存儲卡外形也是分化極為嚴重。

東芝和SK海力士宣布它們的第一款SSD支持PCIe Gen 4。東芝預計，明年性能匱乏的服務器將開始采用Gen 4驅動器，然后就是2021年的筆記本和2023年要求更為嚴格認證的存儲系統。

關于中國閃存發展、新的加速器和軟件

存儲初創公司Pliops推出了一款在賽靈思（Xilinx）FPGA卡上運行的存儲加速器，據稱將在今年年底前推出。在“計算存儲”大行其道的如今，它是眾多加速器中最為突出的一個。Pliops加速器承諾減少一半的CPU存儲周期，同時提升寫入速度，使MySQL事務處理速度提升七倍，旨在取代如Facebook等企業使用的RocksDB等軟件。迄今為止，Pliops從英特爾，邁絡思，西部數據和賽靈思等公司融資4500萬美元。兩位創始人是三星以色列公司的SSD控制器設計團隊技術經理。公司的融資和發展表明ASIC已經不再遙遠。

西部數據和SK海力士的高管們都表示，軟件將成為下一個采用名為區域名稱空間（ZNS）加速NAND性能的重要杠桿。西部數據數據中心&設備市場部總經理Christopher Bergey稱，ZNS可以將SSD所需的DRAM減8倍，并將所需存儲容量縮小10倍，同時實現虛擬化。西部數據和SK海力士都在大會中演示了原型ZNS產品。對于SK海力士而言，此舉是其努力擴展到早先競爭對手所擁抱的SSD，SSD控制器和軟件領域計劃的一部分。 一位SK海力士高管稱，ZNS可以減少數據碎片，將SSD壽命延長至67％，并在混合工作負載中將QoS提升25％。

關于中國，考慮到中美貿易戰的緊張局勢，國產NAND閃存廠商長江存儲沒有和去年一樣參與本次大會的主題演講。據稱，長江存儲會從每月生產20000片晶圓的產品線中對其64層產品進行抽樣試驗。而參與FMS的國內技術專家也表示，中國希望在DRAM市場處于領先地位，從明年初長鑫存儲發布的8Gbit DDR4芯片會是一次驗證。

中國領先NOR閃存供應商之一Gigadevice（兆易創新）戰略顧問，Michael Wang稱，我們有決心在閃存方面取得進展，新的NAND產品會很快面市。

FMS設立有中國專場。中國專場主席、華瀾微CEO駱建軍先生還表示，隨著全球經濟互通互惠的發展，閃存業者必然會加強交流合作，明年的美國閃存峰會將會更加擴大。同時，中國也在積極融入全球市場、提供技術方案共謀存儲產業發展。如果大家想和長江存儲談一談，歡迎到中國來，參加8月22-23日在中國杭州舉辦的“閃存加速數字經濟”為主題的年度閃存盛會——全球閃存峰會（Flash Memory World）。美國閃存峰會也支持和歡迎大家到杭州參與其中。