有消息稱，美光科技第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產品基于美光全新研發的取代柵極（Replacement Gate）架構。不過美光也表示，新一代產品計劃于2020年實現量產，但僅將應用于特定領域，因此，明年其3D NAND成本降低將會很少。不過美光承諾2021財年（2020年9月份開始），大規模應用取代柵極結構后，每bit的成本將有效降低。

美光新型取代柵極架構將首次應用在128層產品中，繼續沿用CMOS陣列。美光之前的3D NAND閃存芯片采用同英特爾一起研發的浮柵結構，新一代取代柵極結構有望讓晶圓大小和成本進一步降低，并可以更輕松過渡到下一代3D NAND技術。

該技術完全由美光公司開發，沒有英特爾的任何投入，因此它很可能是針對美光最希望面向的應用量身定制（可能是高ASP，如移動設備，消費類產品等）。

美光CEO，Sanjay Mehrotra表示，我們已經成功完成取代柵極架構的3D NAND芯片的首次流片。首代取代柵極架構將被應用于128層NAND產品。