此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。

作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。據長江存儲介紹，128層QLC版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業級服務器、數據中心等領域。

2020年三季度以來，長江存儲一直忙于引進與安裝必要的生產設備與擴大生產線。目前長江存儲同時生產64層與128層3D快閃記憶體晶片，但將逐步將更多產能轉向后者。

據透露，長江存儲最快將于2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產，將是中國半導體業者首次試產這類晶片。如三星、美光等市場一流供應商，目前仍在開發176層3D NAND晶片，而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。