[1] 與美光上一代 1z 制程移動設備 DRAM 相比，功耗降低了 15%。

背景資料：

DRAM、CPU芯片都是集成電路IC，生產制造過程 （制程） 有相似之處，不過工藝進展并不相同，CPU 制程 工藝已經進入到了7nm，但DRAM主流還是使用20nm、18nm工藝，其中18nm就屬于1X nm節點(16-19nm之間)，后面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工藝，具體對應xx nm，有待進一步披露。