圖片來自美光

此外，據說該技術的功耗還降低了15％，且性能更高。美光1α的重要特性之一是與上一代產品相比，其40％的比特位密度改進里，約有10％是由DRAM的設計效率驅動，這意味著僅靠光刻技術的改進還不足以讓DRAM價格相對便宜地進行生產制造。

美光的1α節點仍在使用6F2位線設計。美光實施了許多創新來采用最新的制造工藝來縮小其DRAM。

美光DRAM制程工藝集成副總裁，Thy Tran表示，1-alpha比特位密度的提高是由工藝技術的提高及設計改進提高陣列效率來共同推動。僅陣列效率就能為我們帶來約10％的設計改良。此外，我們還對工藝技術進行了重大改進，大幅縮小了位線和字線的間距，也可以說是縮小了網格。

美光科技與產品執行副總裁，Scott DeBoer指出美光的新型1α節點DRAM在整個數據中心，智能邊緣和消費類設備應用案例中都實現了極大的改進。

初期，美光會利用1α節點在其位于臺灣省桃園和臺中的工廠生產8Gb和16Gb DDR4和LPDDR4存儲芯片，但最終將擴展到其他類型的存儲設備上。

比如1α類的技術對下一代DDR5存儲設備很有用，與如今的DRAM相比，它們將具有更復雜的架構。1α節點將逐步部署到美光的產品系列中，并將在2022財年成為美光的主力。美光還將逐步過渡自己的晶圓廠，根據行業需求增加產量。

可擴展性挑戰

近年來，隨著行業要求的性能越來越高，存儲技術得到長足發展。DDR5和GDDR6X還有即將推出的接口都要比DDR4和GDDR6復雜得多，這也是DRAM很難擴展的原因。但如DDR5和GDDR6X等現代化技術的出現是不可避免的，因此，美光等巨頭企業將在工藝制程方面投入更多的資金。

其中，解決物理尺寸縮放難題的方法之一是采用極紫外（EUV）光刻技術，但美光短期內不打算使用EUV光刻技術來生產制造，其接下來的三個DRAM節點將繼續使用深紫外線（DUV）光刻技術，但美光現在正在考慮將EUV用于其1??制程。同時，即使沒有EUV，美光也承諾為其下一代存儲設備提高性能和功耗。

但新一代光刻技術發展同樣不可避免，因此美光無法忽略EUV。對于目前美光正在評估各種設計架構。假設美光約每年都要引入一種新的制造工藝，類似DRAM制造商在最近幾年所做的那樣，其1??節點將在2024年或更晚的某個時候到來。