與660p相比，670p在性能，耐久性，容量和功耗方面都有提升，部分表現相比TLC差距縮小，少部分場景甚至比還要好，英特爾的一頓操作讓人不得不對QLC刮目相看。

簡單回顧一下英特爾QLC和QLC SSD的歷史

英特爾于2016年開始研究第一代QLC NAND，當時僅為32層，很快在2017年就推出了64層QLC。

2018年，英特爾發布第一款消費級QLC SSD 660p，它基于64層的QLC NAND ，主要是以大容量著稱。

2019年，英特爾又發布了采用96層QLC的665p，雖然性能和耐久性都有所提升，但英特爾沒有給665p太多的表現機會，據說現在已經停產，一直以來，660p似乎更常見一些。

而在144層的QLC產品中，第一款是企業級的SSD，直到2021年三月，英特爾才推出了消費級144層 QLC SSD新品670p。

QLC性能不行？670p的性能還挺高的

盡管還是QLC的介質，但與此前的660p相比性能有很大提升，順序讀寫速度最高分別能達到3500MB/s和2700MB/s，性能表現在PCIe 3.0SSD中，屬于領先者，與隔壁三星的980EVO Pro相比順序（標稱也是3500MB/s）讀寫性能一點不遜色。

QLC不靠譜？670p耐久性大大提升

670p的外形尺寸是最常見的2280規格，有512G，1TB和2TB三個版本，質保五年，512GB版本的寫入耐久性相比660p提升了85%，能達到185TBW，1TB的翻番到370TBW，2TB就是740TBW，換算成DWPD的話是0.2，常見的TLC所能達到的DWPD也就0.3。

幾個場景上的優化

作為一款用于筆記本電腦和臺式機上的SSD，適用于內容創作生產力和游戲場景，670p主要做了這幾方面的優化：

1，真實場景中的低隊列深度性能優化

英特爾面向實際應用場景做的最大優化是在QD1的性能表現，在QD為1的時候，4K隨機度寫分別能達到2萬和5.2萬IOPS。

英特爾統計了個人電腦用戶使用時的存儲狀態，發現90%到95%的處于低隊列深度1或2的狀態，也就是說，QD64這種數字的實際意義非常有限，低隊列深度下的性能表現更接近用戶最真實的體驗。

英特爾實測后的性能發現，670p在低隊列深度下的表現相對于660p有了巨大提升，在大部分場景中，都高于同類QLC SSD的表現，在一些測試場景中的表現，甚至比TLC NAND還要好。

2，真實場景中的混合負載上的性能優化

在實際應用中，混合負載更能反映用戶的真實體驗，很少有場景說是只寫不讀或者只讀不寫，英特爾給出了670p在不同讀寫比例下，同時在低隊列深度下的性能測試表現，670p的優勢更明顯。

3，功耗的優化

與660p相比，670p的閑時功耗降到了25毫瓦，而低功耗L1.2深度睡眠次狀態已降至3毫瓦，這有助于延長移動平臺的電池續航。

4，可用容量增多

為了避免緩存占用完之后的性能尷尬，會盡可能的用大一些的Cache，670p自帶了少量的DRAM做Cache，同時也用SLC緩存，包括動態和靜態兩部分SLC。

英特爾用動態SLC緩存技術在寫入數據量少的時候提供更多Cache來提升性能，在寫入數據多的時候還可以騰出來更多存儲容量，相對660p來說，670p的用戶實際可用容量也有了相應提升。