英特爾在用各種方案將更有成本優勢的高密度NAND存儲推向市場，除了144層的NAND技術，還有QLC甚至PLC這種單元技術，還有更高密度的外殼方案，比如EDSFF，常見的就是Ruler這種尺子外形的SSD盤，以盡可能少的空間占用提供更高存儲密度。

英特爾技術專家則從技術角度介紹了NAND技術上的核心優勢。

在面密度方面，英特爾在浮柵加上CuA（陣列下的CMOS-CMOS under Array）的加持下，對比替換柵極技術（Replacement?Gate）中浪費掉資源，其面密度最多提高10%，容量更大，每個晶元能產出更多容量，制造效率會更高。

在可靠性方面，英特爾的垂直浮柵閃存單元設計非常特殊，上圖可見，單元與單元之間是分隔的，好處是單元與單元之間的干擾會少很多。此外，由于一個單元之內存儲的電子數量比較多，這對于防止漏電，提升控制能力也是有作用的。

基于在面密度以及數據保持能力上的差異，浮動柵極和替換柵極兩種技術路線的差異則更加明顯，英特爾所選擇的浮動柵極能做到更高密度的裸片，也就是適合數據中心大容量、高密度存儲，反之，替換柵極更適合做低密度裸片，做小容量的低密度存儲。

在可靠性方面，浮動柵極相對于電荷捕獲閃存單元的數據保留率也更高，能更好的應對MLC到TLC到QLC甚至PLC帶來的數據可靠性問題。

雖然浮動柵極的技術優勢非常明顯，但由于生產工藝相對復雜，所以，并不是所有廠商都選擇浮動柵極。

從市場來看，一些選擇其他方案的廠商其關注重點并不是數據中心市場，有些場景中根本不需要QLC或者PLC，大部分TLC就能滿足其需求，而英特爾選擇則是少數專注于數據中心市場的廠商所選擇的技術路徑。

新技術集大成者——采用第三代QLC的D5-P5316

D5-P5316有許多黑科技加成。首先，憑借NAND介質技術的改進和固件層次上的優化，D5-P5316的耐久性比其它QLC NAND高4倍，英特爾技術專家指出，從實際應用來看，像D5-P5316這類QLC盤的壽命在實際應用部署中并不是問題。

性能方面，D5-P5316有著與TLC NAND固態盤相當的PCIe 4.0讀取帶寬，能達到最高7GB/s，跑滿PCIe 4.0。

英特爾技術專家表示，許多用戶并不關心單盤讀寫帶寬或者是IOPS表現，而是更在乎時延和服務質量，英特爾在此前許多SSD設計中就關注時延和服務質量，在歷代產品中不斷迭代和完善，而現在，D5-P5316有著與TLC NAND固態盤幾乎一致的時延和服務質量，與第一代QLC固態盤相比，時延縮減了48%。

憑借長期積累和英特爾的品牌實力，D5-P5316在質量和可靠性方面以及成熟度方面的表現也不應該成為問題。英特爾技術專家介紹道，英特爾NAND SSD的迭代中每次只迭代介質或者控制器，每次升級都只有一個變量，以確?？煽啃院驮O計難度在可控范圍內。

作為D5系列容量型SSD的一員，D5-P5316能滿足大規模溫存儲需求，單盤30.72TB的容量配置大大提高了存儲密度，無論是按照提供的容量還是性能來算，都有利于減少數據中心空間占用，最多可將存儲空間占用減少20倍。

按照塊大小和讀寫比例分配情況，英特爾QLC PCIe NAND固態盤適用的場景有以上幾種，包括AI、云存儲、超融合、大數據、CDN以及HPC等場景，適用范圍還是非常豐富的。

結語

廣大用戶應該注意到英特爾NAND SSD是最專注于數據中心市場的SSD產品線，這既總結了過去，也為其接下來的發展埋下了伏筆。

英特爾NAND SSD業務被出售或許是最好的安排，英特爾可以更專注于有差異化價值的傲騰，SK海力士因為獲得這一產品線在數據中心市場獲得更多市場份額。