3400定位在性能更高的PC工作站、游戲電腦和高端臺式機，容量規格有512GB、1TB和2TB可選，外形尺寸采用的都是22x80mm。
我們準備了一個性能表，將2450、3400與之前的2300及其PCIe gen 3總線連接進行比較。它顯示了PCIe 4總線帶來的速度提升，以及更新的NAND帶來的耐久性：
2450具有與2300相似的隨機讀寫IOPS表現，但在順序讀寫性能方面2450更好，讀帶寬增加了9%，寫帶寬增加了11%。耐久性方面兩者也相差不大，只有256GB版本的TBW從150TB增加到了180TB。
3400的IOPS提升則更為明，最大隨機讀IOPS從43萬飆升到了72萬，寫入IOPS從50萬飆升至70萬。順序帶寬也翻倍到了6.6GB/秒，寫入速率也幾乎翻倍至5GB/秒，而耐久性則與2300一樣。
2450和3400都支持TCG Opal 2.01和Pyrite 2.01安全標準以及AES-256位加密。這兩款產品對標三星PM9A3和980 Pro，對標鎧俠XG7，希捷的FireCuda 520，西部數據的Black SN850。
UFS 3.1車載存儲芯片
美光正在出樣128GB和256GB的車用UFS 3.1閃存解決方案，采用的是96層3D NAND，未來很有可能出現176層3D NAND的UFS 3.1閃存方案，
UFS 3.1的讀取性能是UFS 2.1的2倍，有助于實現快速啟動，并減少數據密集型車載娛樂系統和高級駕駛輔助系統（ADAS）的延遲。它還提供了50%的持續寫入性能，以滿足3級以上ADAS系統，黑匣子的傳感器和攝像頭對于存儲性能提出的挑戰。
更先進工藝的DRAM內存
美光近日還宣布本月開始出貨采用1αnm工藝節點的DRAM內存芯片，主要面向客戶端和移動端市場。眾所周知，從1x、1y、1z、1α一代比一代先進，容量密度和性能更高，功耗越來越低。
美光表示，與此前的1z工藝節點相比，內存密度提高了40%，功耗降低了20%。此外，美光在近日還宣布完成了1αnm工藝節點DRAM內存在AMD第三代霄龍處理器和其他數據中心平臺上的驗證。
