以西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件所使用的第六代162層3D閃存顆粒為例,它是西部數據與鎧俠10年聯合研發閃存顆粒的第15代產品,它沒有按照傳統八層交錯式存儲孔陣列設計,而是通過第六代創新架構將橫向單元陣列密度提高了約10%,結合162層堆疊式垂直設計,使每個晶圓的制造位增加了70%;通過陣列CMOS電路布局和四路同時操作,性能可提高近2.4倍,讀取延遲減少約10%,I/O性能也提高了約66%。
有了第六代162層3D閃存顆粒的基礎,配合西部數據獨立研發的控制器技術和固件設計,在滿足JEDEC UFS 3.1規范要求的基礎上,借助西部數據第七代Smart SLC Write Booster 技術,西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件進一步融合JEDEC標準規范,實現了前所未有的競爭力。
文芳表示:西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是iNAND系列產品的新成員,十多年來,該系列產品一直深受全球主要智能手機制造商的信任。西部數據持續深耕移動生態系統領域,與領先的SoC系統設計人員合作,在智能手機的參考設計中驗證其UFS 3.1解決方案,從而為制造商提供經過測試的解決方案。西部數據iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件樣品現已開始供貨。容量版本有128GB、256GB和512GB三種類型。