2022年閃存資本支出
299億美元的支出占2022年整體IC行業資本預測支出1904億美元的16%，僅次于晶圓代工廠部分，預計后者今年將占行業資本支出的41%。
近期新升級的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek 1、2生產線（也用于DRAM和代工）；三星在中國西安的二期投資；鎧俠在日本巖手的Fab 6和 Fab K1晶圓廠；美光在新加坡的第三家閃存廠。此外，SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。
在預測期內，隨著NAND閃存供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上閃存芯片的產能競爭，將需要新的晶圓廠和設備。三星和美光可能是首家今年晚些時候就開始量產200層NAND的公司。兩家公司及SK海力士目前都在量產176層 NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是（或將成為）領先NAND的關鍵制造基地，擁有2家晶圓廠，每家晶圓廠全面投產后每月可生產 120,000 片晶圓。隨著對企業存儲應用的日益關注，SK hynix 預計將在2023年遷移到196層。
