Pure Storage的愿景是用全閃存存儲解決各種存儲需求。一方面，旗下有追求極致性能的FalshArray//XL，另一方面，也有追求大容量的FlashBlade//E。兩者之間，多個存儲系統可以支撐各種常見的應用類型。

此次發布中，Pure Storage推出了新一代FlashArray//X R4和FlashArray//C R4，新品將性能提高了40%，將效率提高了80%。其中，性能的提升幅度是Pure Storage歷史上幅度最大的一次。
從Pure Storage 大中華區技術總監何與暉的介紹中了解到，之所以有如此提升，主要得益于英特爾第四代至強可擴展處理器。新處理器支持DDR5內存，而DDR5內存有更高的速率、更強尋址能力，當然，帶寬翻倍的PCIe 4.0對于性能提升也非常關鍵。

除此之外，DirectCompress加速卡提供的內聯壓縮能力也可以緩解主機的性能壓力。光纖通道帶寬支持更高的64Gb和100GbE選項，全線產品也支持面向FC、RoCE和TCP的NVMe-oF協議的連接方式，也有助于性能的提升。

FlashArray//X是一款面向關鍵任務負載的存儲，此次升級意味著可以更好地完成復雜的，高并發的關鍵業務工作負載。而FlashArray//C 在升級前，主要用作非關鍵應用和備份場景，升級后則可以承載不需要亞毫秒級 (2毫秒) 延遲的關鍵業務負載，從而降低關鍵業務的成本。

值得注意的是，FlashArray//C是全球首款企業級全QLC的存儲系統。何與暉介紹稱，FlashArray//C兼顧性能、性價比，支持開發和測試、災難恢復、故障轉移、防范勒索軟件等功能，是功能非常完備的平臺。

Pure//E系列是此次發布的另一個重點，它的使命是要替代磁盤存儲，它具有了與磁盤存儲系統相當的成本優勢。經測算，6年內的總體擁有成本可降低40%，購置成本與磁盤相當，每GB原始成本不到20美分（約合人民幣1.5元）。

閃存替代磁盤是大勢所趨，閃存不僅有更高的能耗效率，還有更高的存儲密度和更低的空間占用，可以節省資源占用，利好節能減排。而且，Pure Storage還發現，閃存在故障率方面也遠低于磁盤，可以降低運維壓力。

Pure//E系列具體分為FlashArray//E和FlashBlade//E系列兩種。兩者容量范圍不同，FlashArray//E的容量范圍為1-4PB，FlashBlade//E系列為4-10+PB。兩者支持場景也不同，FlashBlade//E支持S3對象存儲，而FlashArray//E支持單一數據塊。

此次發布時，DFM（DirectFlash）也迎來了一次更新，采用QLC將最大容量提升到了75TB。FlashArray//E采用DFM閃存模塊技術，從1PB起步，可以以300TB為單位擴展到4PB，可在6U的空間里提供4PB的存儲空間。

全新的DFM帶來了更高的帶寬和可預測的延遲表現。Pure Storage預計，到2026年，DFM將推出單盤容量300TB的閃存介質。相較于同類全閃存陣列競品，將提供更多的能耗和空間節省，20倍可靠性提升，性能提高4倍以上。