瘋狂的超頻愛好者正在備戰

對超頻玩家來說內存不光是保證電腦穩定運行的配件，更是決定超頻成敗的關鍵一環。每款內存在他們手中，都可能成為所向披靡的超頻利器。當然，一款內存能否成為超頻英雄，與內存芯片品質是密不可分的。品牌內存芯片出廠必須嚴格經過，前工序、后工序和檢測工序三個階段。這關系到內存與主板的兼容性，也決定了平臺超頻的高低和是否穩定。另外，內存芯片納米技術的提高，也是覺得平臺在低功耗，低電壓下能否超常超頻的因素。

超頻成敗與內存芯片品質密不可分

早在去年三星就發布了原廠30納米內存，預計2012年投入量產。一年過去了如今三星原廠1600 4GB 30納米工藝內存，已經在市場上廣泛鋪貨。不過比起金士頓、威剛、宇瞻這些內存品牌的名聲，三星內存還稍遜一籌。多數用戶仍喜歡選擇金士頓內存裝機。但在部分游戲玩家和超頻愛好者眼中，三星裸條具備的實力遠遠高于它的知名度。畢竟30納米級產品和40納米在超頻性能上，存在不小的差距。今天我們就從超頻性能出發，用老將級別的金士頓1600駭客神條，與三星30納米1600內存進行一下對比。

三星30納米裸條對抗金士頓40納米神條

三星原廠30納米4GB DDR3-1600MHz內存，為三星綠色節能內存條，具有低功耗節能的與眾不同特點。目前這款產品的市場價格為165元，與金士頓DDR3 1600 4GB駭客神條價格接近。下面我們就通過超頻測試來看看，30納米產品與40納米產品的差距。

超頻平臺及測試軟件介紹：

三星30納米DDR3 1600內存超頻體驗：

三星30納米DDR3 1600內存超頻至2133頻率

2133頻率下內存電壓僅為1.5V

我們都知道30納米內存與40納米內存相比，最明顯的就是低功耗低電壓，這一點尤其體現在超頻上。當內存頻率提升至2133MHz時，內存無需加壓只需要通過BIOS簡單設置。

三星30納米DDR3 1600內存輕松超至2133頻率

AIDA64內存速度測試：

內存速度測試

在AIDA64內存測試中，三星30納米DDR3內存2133頻率下讀取速度為15196MB/s，寫入速度為16716MB/s，拷貝速度可達到14764MB/s，內存延遲速度為44.1ns。

GO-SP2004穩定性測試

此時當三星30納米內存達到2133頻率時，CPU在滿載情況下完全可以穩定運行，這也證明超頻并沒有影響整體平臺的穩定。此時我們的計算機速度得到了進一步提高。

金士頓40納米DDR3 1600駭客神條超頻體驗：

金士頓40納米1600內存超至2133頻率

2133頻率下內存電壓達到1.65V

同樣是從1600MHz超到2133MHz，三星30納米內存所用電壓僅為1.5v，金士頓駭客神條就需要加壓到1.65v。功耗增加溫度也會上升，雖然都屬于正常值范圍，不過1.5v更有利于平臺的穩定。

1.65v電壓下金士頓1600MHz駭客神條超至2133頻率

AIDA64內存速度測試：

內存速度測試

在AIDA64內存測試中，金士頓40納米DDR3內存2133頻率下讀取速度為11796MB/s。寫入速度為9389MB/s，拷貝速度可達到10529MB/s，內存延遲速度為44.4ns。

GO-SP2004穩定性測試

測試對比及總結：

盡管我們的超頻體驗只是在常規環境下進行，并沒有達到產品的極限數值。但是30納米內存與40納米內存超頻差距已經很明顯，當兩款內存頻率均達到2133MHz時，三星30納米產品電壓僅為1.5v，而金士頓40納米產品要加壓到1.65v。

雖然只是0.15v的差距，但長時間工作下，平臺功耗和溫度會發生較大差別。高電壓不但不利于平臺的穩定性，對專業超頻者來說還有可能與理想值擦身而過。

30納米 VS 40納米內存速度對比

在內存基礎性能上也可以看出，30納米顆粒內存無論是讀取、寫入、拷貝速度均領先同頻率40納米產品。

內存延遲速度對比

通過三星30納米裸條與金士頓40納米神條的對比，大家可以看出在超頻上兩者存在的差距。這一點對超頻玩家來說尤其重要，而主流用戶在不超頻的前提下，在使用中不會感覺有大的差別。不過這對筆記本電腦用戶來說，就不一樣了。

三星30納米內存同樣擁有筆記本產品，低電壓低功耗在筆記本電腦中則會有明顯差距。這關系到筆記本的散熱及耗電量，目前三星30納米4GB 1600筆記本內存價格在170元上下，與同等頻率和容量的筆記本產品相比，超值的性價比同樣顯著。